马赫曾德尔调制器产品
在外加电场的作用下，晶体的折射率光吸收和光散射特性发生了变化，由此产生的效果称为光效应.当晶体折射率的变化与加电场成正比时，即电场的一次性 ，称为线性电光效应，由加电场组成Pokels于 1893年发现，又称于 Pokels效应通常发生在不对称的中心晶体中，这是电光调制的基础.当晶体折射率的变化与加电场强度的平方成正比时，即电场的二次项 ，该电光效应由电场的二次项 产生Kerr 1875年发现，称为二次电光效应或称为二次电光效应Kerr二次电光效应存在于所有晶体中.对LiNbO3晶体方面，线性电光效应比二次电光效应明显得多，因此调制器主要利用其线性电光效应进行调制.
什么是马赫-曾德尔型强度调制器？
铌酸锂电光调制器的工作原理简单描述为，当晶体在特定方向施加电场时，晶体折射率因电光效应而发生变化，进而导致晶体中光波传输的额外相位变化，从而达到调制光波的目的.
常见的电光强度调制器是马赫-曾德尔(MZ)光波在光波导中传输到第一个3dB在耦合器中，光波分为两个相等的路径，光波通过光波导分别传输到每个支路的第二个3dB在耦合器处，两列波的最终相干叠加.